而在电路未启动之前，由于高压端启动电阻的充电，可以将VCC上电容上的电压充到IC启动的电压，一旦电路有问题一下启动不了VCC由于绕组电压的预设值偏低。电路也是不会启动的，一般表现为嗝状态。●为何要按照IC的工作电压低端取值？因为我们次级绕组是与初级绕组相邻绕制的，耦合效果相对而言是的。我们做短路试验也是做次级的输出短路，因为耦合效果好，次级短路时VCC在经过短暂的上冲后会快速降低，降到IC的关闭电压时电路得到的保护。需要注意这个电压需要高于MOSFET饱和导通1V以上，避免驱动不足。
。●初级与次级主绕组必须是近相邻的绕组，龙华街道适配器，这样耦合会更有利。●开关电源在MOSFET-D端点工作时候产生的干扰是（也是RCD吸收端与变压器相连的端点），在变压器绕制时建议将他绕在变压器的个绕组，并作为起点端，让他藏在变压器里层，USB适配器价格，这样后面绕组铜线的屏蔽是有较好抑制干扰效果的。●VCC绕组在计算其圈数时尽量的在IC工作电压乘以1.1倍作为误差值，不用考虑铜线的压降，因为启动前电流是非常小的，所以这个电阻并没有多少影响，几乎可以忽略不计。
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